近日，據國家(jia)知識產權局(ju)信(xin)息顯示，天合光能(neng)股份有限公司申請一(yi)項名(ming)為“鈣(gai)鈦(tai)礦前驅(qu)體溶液、鈣(gai)鈦(tai)礦太陽能(neng)電(dian)池及其制備方法(fa)”的專利，公開號 CN 118785799 A，申請日期為2024年8月。

專(zhuan)利摘要(yao)顯示，本(ben)申請實施例(li)提(ti)供一種鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)前驅(qu)體(ti)溶液(ye)、鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)太陽能電(dian)池(chi)及其制備方法，該鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)前驅(qu)體(ti)溶液(ye)包括鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)材料(liao)(liao)、g?C3N4類(lei)聚合物以及第一有機溶劑，其中(zhong)：g?C3N4類(lei)聚合物至少包括石(shi)墨相g?C3N4、金屬元素(su)修(xiu)飾的(de)(de)(de)(de)g?C3N4、非(fei)金屬元素(su)修(xiu)飾的(de)(de)(de)(de)g?C3N4中(zhong)的(de)(de)(de)(de)一種。本(ben)申請實施例(li)的(de)(de)(de)(de)技術(shu)方案可以用于制備大晶(jing)粒尺寸(cun)的(de)(de)(de)(de)多晶(jing)鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)薄膜(mo)，改(gai)善(shan)鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)晶(jing)體(ti)質量，形成良(liang)好的(de)(de)(de)(de)表面(mian)形貌;還可以提(ti)高了(le)鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)電(dian)導(dao)率(lv)和載流子遷(qian)移(yi)(yi)率(lv)，同時，由于g?C3N4類(lei)聚合物本(ben)身的(de)(de)(de)(de)導(dao)電(dian)性，將其摻雜到鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)材料(liao)(liao)中(zhong)，能夠提(ti)高鈣(gai)(gai)(gai)鈦(tai)礦(kuang)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)電(dian)導(dao)率(lv)和載流子遷(qian)移(yi)(yi)率(lv)，進(jin)而提(ti)高器件性。