在6月14日上午的全球光儲(chu)(chu)融合前沿技術(shu)大會(hui)：儲(chu)(chu)能電池及系統技術(shu)、應用與安全上，南(nan)京(jing)南(nan)瑞半導體有限公(gong)司(si)產(chan)品市場經理周詩凱先(xian)生(sheng)同(tong)與會(hui)人員分(fen)享組串式儲(chu)(chu)能中(zhong)的 IGBT 模(mo)塊應用趨(qu)勢(shi)。

周(zhou)先生指出，目(mu)前行(xing)業主流方(fang)案(an)是集(ji)中(zhong)式(shi)PCS ，但(dan)是未來行(xing)業發(fa)展方(fang)向將是模塊(kuai)化PCS。集(ji)中(zhong)儲(chu)能(neng)存在潛在風(feng)險：電(dian)池短板(ban)效(xiao)(xiao)應、電(dian)池環(huan)流風(feng)險、風(feng)光(guang)配儲(chu)調峰效(xiao)(xiao)果有(you)限，而(er)分(fen)布式(shi)儲(chu)能(neng)具有(you)如(ru)下(xia)優勢：解決電(dian)池短板(ban)效(xiao)(xiao)應、降低電(dian)池環(huan)流風(feng)險、工商業應用削峰填谷經濟。目(mu)前國內(nei)開(kai)發(fa)200kW~215kW機型企(qi)業數量劇(ju)增，多家(jia)頭部企(qi)業使(shi)用215/200kW機型組合電(dian)站儲(chu)能(neng)。

他介紹了公(gong)司新推出的A3產(chan)品（封裝類型及尺寸：A3，125×65×17.3(mm)電路(lu)拓撲：NPC-1；Vces:1200V; Ic nom: 450A）該產(chan)品具有(you)四大優勢(shi)，第(di)(di)一規格優勢(shi)，單模塊輸出電流達450A，系統無并(bing)聯模式(shi)；第(di)(di)二(er)，芯片技(ji)術優勢(shi)：滿(man)足(zu)16kHz高頻特性(xing)，同(tong)時低(di)開關損(sun)耗與低(di)導通(tong)損(sun)耗；滿(man)足(zu)2倍電流關斷能力；第(di)(di)三，封裝技(ji)術優勢(shi)：高導熱材料，降(jiang)低(di)熱阻，銅底板設計，提升(sheng)整體(ti)散熱能力；密(mi)度，安裝可靠；第(di)(di)四，應用優勢(shi)：額定效率298%，最大效率299%。

周(zhou)先生還根據市(shi)面(mian)上的(de)產品(pin)作出競品(pin)分析(xi)，對比(bi)得出結(jie)論：本(ben)產品(pin)出流能力優(you)秀——電壓電流等(deng)級可達1200V/450A，215kW PCS無需并聯(lian)。尺寸結(jie)構(gou)優(you)化——模塊尺寸僅比(bi)封裝1增加60%，僅比(bi)封裝2增加20%。安裝可靠(kao)(kao)性強(qiang)——四(si)孔安裝，A3安裝可靠(kao)(kao)性比(bi)競品(pin)更(geng)牢靠(kao)(kao)。散熱性能提(ti)升(sheng)(sheng)——底面(mian)與散熱器接觸更(geng)緊密，長期(qi)使用(yong)更(geng)可靠(kao)(kao)。綜合成本(ben)節約——功率密度相較同行提(ti)升(sheng)(sheng)80%以上，擁有更(geng)節約的(de)綜合使用(yong)成本(ben)。舉例來說(shuo)，215kW機型1.1倍(bei)長期(qi)過(guo)載工況(kuang)下，南(nan)瑞半導體A3模塊結(jie)溫控(kong)制水平最優(you)。

最后(hou)，他對未來(lai)的產(chan)品計劃作(zuo)出大概闡述(shu)。現有模塊(AI2O3/Si3N4)可覆蓋額定(ding)功率215kw~250kW儲能PCS系統，而不久后(hou)液冷方案與SiC方案可進一步提升出流水(shui)平；南瑞半導體A3系列模塊，在該封(feng)裝形式下具有更長生(sheng)命(ming)周(zhou)期。