蓋錫咨詢-14日SNEC會議筆記 -SNEC(2024)前沿技術大會-薄膜與鈣鈦礦上針對The introduction of the Dry Process for TCO, HTL and ETL2024-06-14 11:10來源：gessey瀏覽數:254次
崔(cui)健先生在全球光伏前(qian)沿技術大(da)會（6）：薄膜(mo)與鈣鈦(tai)礦上針對The introduction of the Dry Process for TCO, HTL and ETL by a lowdamage four facing targets sputtering cathode on perovskite photovoltaic進行分(fen)享(xiang)。
崔先(xian)生介紹為了實現低損傷濺鍍成膜，敝司(si)自身開發了濺鍍陽極(ji) 「RAM force cathodel 并采用(yong)此陰極(ji)對TCO ? HTL?ETL器件(jian)上的(de)應用(yong)進行子(zi)驗證。對下地面(mian)不造成損失的(de)TCO的(de)成膜變(bian)(bian)為可能。平(ping)滑性高、透過率高膜的(de)形成變(bian)(bian)為可能、膜厚300nm成膜時基板(ban)溫(wen)度(du)60°C以下的(de)低溫(wen)成膜變(bian)(bian)為可能，HTL的(de)器件(jian)龐用(yong)進行驗證。
其次崔先生介紹了(le)n-i-p構造的器件上不使用C60直接在鈣鈦礦層(ceng)上用SnO2作為ETL進行成膜(mo)。 在同樣(yang)(yang)條(tiao)件下、還導入了Post-annealing處理(li)后的(de)樣(yang)(yang)品與as depo樣(yang)(yang)品進(jin)行(xing)比較(jiao)。通過對(dui)下地面的(de)損傷(shang)進(jin)行(xing)抑制從而(er)使(shi)TCOHTL。ETL采用濺鍍成(cheng)膜變為可能。在鈣鈦礦層上直接成(cheng)膜也不會發生(sheng)對(dui)器件損傷(shang)情況。通過Post-annealing處理(li)可以使(shi)得SnO2膜的(de)結(jie)晶(jing)性。carrier移(yi)動(dong)度提高、從而(er)改善了變換功率。
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