基于純(chun) FAPbI3(FA為甲脒)的鈣(gai)鈦礦(kuang)太(tai)陽能電池因其(qi)卓越的(de)(de)(de)(de)效(xiao)(xiao)率(lv)而獲得(de)了全世界的(de)(de)(de)(de)認可(ke)。然而，FAPbI3的(de)(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)穩(wen)定(ding)(ding)性(xing)(xing)仍(reng)然是該領域的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)大(da)(da)(da)障礙，因(yin)(yin)為使用(yong)MA+、Br?、Cs+穩(wen)定(ding)(ding)α-FAPbI3相(xiang)(xiang)的(de)(de)(de)(de)普通(tong)策(ce)略(lve)會導致帶隙變(bian)化和(he)離子(zi)遷移。鑒(jian)于此(ci)(ci)，2024年3月13日中山大(da)(da)(da)學(xue)畢(bi)冬勤于AFM刊發自組裝(zhuang)橋接(jie)層對(dui)純FAPbI3基(ji)鈣(gai)鈦礦太(tai)陽能(neng)電池性(xing)(xing)能(neng)的(de)(de)(de)(de)影(ying)響的(de)(de)(de)(de)研究成(cheng)(cheng)果(guo)，提(ti)出(chu)了一(yi)(yi)種(zhong)新策(ce)略(lve)，通(tong)過在n-i-p太(tai)陽能(neng)電池結構中的(de)(de)(de)(de) FAPbI3鈣(gai)鈦礦埋(mai)入界面處使用(yong)自組裝(zhuang)橋接(jie)層來提(ti)高(gao)α-FAPbI3相(xiang)(xiang)穩(wen)定(ding)(ding)性(xing)(xing)。篩選了一(yi)(yi)系(xi)列多齒(chi)雙(shuang)膦酸分子(zi)，并證(zheng)明具有(you)最(zui)小空間位阻的(de)(de)(de)(de)依替(ti)膦酸(EA)表現最(zui)好(hao)(hao)。四(si)個(ge)P-OH基(ji)團(tuan)(tuan)首先可(ke)以在SnO2上形(xing)成(cheng)(cheng)多齒(chi)錨定(ding)(ding)，而剩余的(de)(de)(de)(de)未(wei)錨定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)─OH和(he)P=O基(ji)團(tuan)(tuan)可(ke)以在I?和(he)Pb2+之間形(xing)成(cheng)(cheng)強相(xiang)(xiang)互作(zuo)用(yong)。因(yin)(yin)此(ci)(ci)，形(xing)成(cheng)(cheng)了堅固(gu)且(qie)穩(wen)定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)橋接(jie)層，大(da)(da)(da)大(da)(da)(da)增加了FAPbI3相(xiang)(xiang)變(bian)的(de)(de)(de)(de)能(neng)壘(lei)。結果(guo)，純FAPbI3基(ji)(無MA+、Br?、Cs+系(xi)統)n-i-p器件(jian)達到了令人(ren)印象深(shen)刻的(de)(de)(de)(de)24.2%的(de)(de)(de)(de)功率(lv)轉換效(xiao)(xiao)率(lv)，并且(qie)具有(you)良好(hao)(hao)的(de)(de)(de)(de)穩(wen)定(ding)(ding)性(xing)(xing)。此(ci)(ci)外(wai)，EA和(he)Pb2+之間的(de)(de)(de)(de)強相(xiang)(xiang)互作(zuo)用(yong)可(ke)以大(da)(da)(da)大(da)(da)(da)減(jian)少惡劣條件(jian)下的(de)(de)(de)(de)鉛泄漏。