捷佳偉創：射頻微晶P高速率高晶化率鍍膜工藝再獲突破2023-08-03 20:24瀏覽數:178次
近日，捷佳偉創常州HJT中試線成功研發出具有行業先進水平的射頻(RF)微晶P工藝，微晶P薄膜沉積速率超過2埃/秒，同時晶化率穩定在50%以上。常州中試線制備的基于雙面微晶的12BB異質結電池平均效率達到25.1%（德國ISFH（哈梅林）標準），電池良品率穩定在98%以上。 射頻(RF)微晶P的高速高質量沉積，一直是困擾異質結大產能板式PECVD的技術難點，通過本次技術突破，捷佳偉創的大產能射頻板式PECVD預計將比市面上主流設備減少1-2個微晶P腔體。射頻(RF)微晶P設備工藝均勻性達到6%以內，穩定性和重復性均在中試線量產設備上得到充分驗證，達到行業先進技術水平。
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