賀利氏(shi)光伏(上海)有(you)限公司研發經理   劉垠垚博士

會議主題："漿” 造高效賀利氏TOPCon電池金屬化開發路線

1:TOPCon p+金屬化開發(fa)方向

P+發射極細柵(zha)漿料設(she)計銀鋁漿接觸(chu)機理

P+發(fa)射極細柵漿料設計(ji)-銀(yin)鋁漿開(kai)(kai)發(fa)方向：控制打開(kai)(kai)鈍化(hua)膜面積(ji)(包括SiNx, AlOx)

降(jiang)低(di)玻璃(li)(li)對(dui)發射極的侵蝕(shi)，抑制Ag-AI釘刺尺寸、增(zeng)加(jia)數(shu)量(liang)減薄(bo)玻璃(li)(li)層(ceng)，增(zeng)加(jia)隧穿(chuan)導電概率。

P+發射極(ji)細(xi)柵漿料設(she)計-匹(pi)配激光(guang)SE：TOPCon-SE后(hou)部分金字塔尖(jian)形成(cheng)熔(rong)融硅形成(cheng)的小球(qiu)

PERC電池每個金字塔(ta)尖均(jun)有熔(rong)融硅形(xing)成小球

P+發射極細柵漿料設計-單玻組件穩定性(xing)(xing)●新(xin)一代玻璃提高(gao)漿料燒結致密性(xing)(xing)構建耐水(shui)(醋酸(suan))保(bao)護(hu)膜(mo)，玻璃粉熔融(rong)后形成(cheng)抗酸(suan)保(bao)護(hu)膜(mo)助劑對柵線(xian)中孔隙的保(bao)護(hu)。

2:TOPCon n+ poly金屬化開發方向

N+poly發射(she)極漿料設(she)計要(yao)素：對(dui)(dui)不同鈍化膜層(ceng)侵蝕性(xing)、降(jiang)低玻璃對(dui)(dui)poly硅層(ceng)的侵蝕深度控制(zhi)玻璃層(ceng)厚(hou)度，控制(zhi)銀晶尺(chi)寸(cun)避免短路，兼容不同形(xing)貌(mao)絨面。

POLY層(ceng)鍍膜(mo)工藝 繞度&致密(mi)度：無機體(ti)系優化，最大限度保(bao)護poly硅的同時形成良好接觸。

N+POLY發(fa)射極細(xi)柵漿料開發(fa)兼容堿拋反光(guang)絨面 無機(ji)體(ti)(ti)(ti)系(xi)1: 侵(qin)蝕(shi)不完全，銀(yin)晶無機(ji)體(ti)(ti)(ti)系(xi)2: 侵(qin)蝕(shi)性和接觸性平(ping)無機(ji)體(ti)(ti)(ti)系(xi)3: 過度侵(qin)蝕(shi)，銀(yin)晶大 ，生(sheng)長(chang)少， 接觸差，平(ping)衡較好， 銀(yin)晶適(shi)度生(sheng)長(chang)

新一代N+ POLY導(dao)電銀(yin)漿(jiang)：依賴獨特配方設計(ji)理念(nian)，有著極高的(de)適(shi)配特性(xing)(xing)。在多(duo)樣化的(de)工(gong)藝及技術參(can)數下均(jun)表現出(chu)穩定的(de)特性(xing)(xing)。