鈣鈦礦太陽(yang)能(neng)電池(chi)是(shi)利用鈣鈦礦型的(de)有機金屬鹵化(hua)物(wu)半導體（具(ju)有ABX3的(de)化(hua)學通式）作為吸(xi)光材(cai)料的(de)太陽(yang)能(neng)電池(chi)。

鈣鈦礦(kuang)結構的化學通式為ABX3，其中A位(wei)一般為原子(zi)(zi)半徑(jing)較小的陽離子(zi)(zi)（如(ru)Cs+、MA+、FA+等(deng)），B位(wei)為原子(zi)(zi)半徑(jing)較大的過(guo)渡金屬離子(zi)(zi)（如(ru)Sn2+、Pb2+等(deng)），X為鹵素陰離子(zi)(zi)（I-、Br-、Cl-等(deng)）。鈣鈦礦材料擁有(you)優越的電荷傳(chuan)輸性質、長載流(liu)子擴散距離、全光(guang)(guang)譜(pu)吸收(shou)和高吸光(guang)(guang)系數，因而可(ke)以有(you)效吸收(shou)太陽光(guang)(guang)并高效地產生光(guang)(guang)生載流(liu)子,同時(shi)減少(shao)在光(guang)(guang)電轉換過程中的能量損失，是較為理想的光(guang)(guang)電材料。

從1954年光(guang)伏電(dian)池誕生世界第一塊太陽(yang)能電(dian)池，光(guang)伏電(dian)池技術迭代已經走(zou)過三代：

（1）第(di)一(yi)代是以晶硅為主(zhu)的太(tai)陽能電(dian)池(chi)，主(zhu)要(yao)應用(yong)場景為集(ji)中式光伏電(dian)站，目前技術最為成(cheng)熟，但光電(dian)轉化效率已經接近上限(xian)，提(ti)效降本(ben)空(kong)間較為有限(xian)，邊際成(cheng)本(ben)大幅升(sheng)高；

（2）第二代以薄膜太陽能電(dian)池(chi)(chi)為主(zhu)，典(dian)型代表(biao)為銅(tong)銦鎵硒（CIGS）、碲化(hua)鎘（CdTe）太陽能電(dian)池(chi)(chi)，主(zhu)要應用場景(jing)為分布式光(guang)伏，實(shi)驗(yan)室小(xiao)面(mian)積試(shi)件光(guang)電(dian)轉(zhuan)(zhuan)化(hua)效率高于晶硅(gui)電(dian)池(chi)(chi)，但實(shi)際應用中光(guang)電(dian)轉(zhuan)(zhuan)化(hua)效率低于晶硅(gui)，且造(zao)價較為昂(ang)貴(gui)；

（3）第三代為新型太陽能電(dian)池(chi)(chi)，主要包括(kuo)：鈣鈦礦(kuang)電(dian)池(chi)(chi)、染(ran)料敏化(hua)電(dian)池(chi)(chi)和量(liang)子點電(dian)池(chi)(chi)。

第三(san)代(dai)(dai)鈣鈦礦電池具備第二(er)代(dai)(dai)薄膜電池效率提升速率快、成本低、材料可(ke)設計性強的優(you)勢(shi)(shi)，同(tong)時隨著商業化推進(jin)，有望彌補第二(er)代(dai)(dai)面臨的量產表現(xian)與理論優(you)勢(shi)(shi)條(tiao)件差距(ju)大的問題。

學術界通常(chang)認(ren)為(wei)(wei)晶硅電池(chi)的理論(lun)極(ji)限(xian)(xian)為(wei)(wei)29.4%，技術極(ji)限(xian)(xian)約(yue)為(wei)(wei)27.5%，而當(dang)前晶硅太陽(yang)能電池(chi)實驗室最高效率已經達到(dao)26.7%，已非常(chang)接近其(qi)理論(lun)效率天(tian)花板(ban)。打破傳統晶(jing)硅轉化效(xiao)率(lv)上(shang)限的方式包(bao)括(kuo)新(xin)材(cai)料與(yu)新(xin)工藝(yi)，鈣鈦礦是具有(you)革(ge)(ge)命性(xing)的新(xin)材(cai)料，而疊層(ceng)技術(shu)是具有(you)革(ge)(ge)命性(xing)的新(xin)工藝(yi)，單節鈣鈦礦效(xiao)率(lv)可(ke)達(da)(da)33%，鈣鈦礦/晶(jing)硅雙節鈣鈦礦效(xiao)率(lv)可(ke)達(da)(da)45%，三節鈣鈦礦效(xiao)率(lv)可(ke)達(da)(da)45%。

投資成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)方面(mian)，由于(yu)晶(jing)硅太陽能電(dian)池需要經歷硅料、硅片、電(dian)池、組件(jian)四個環節，因此需要四個工(gong)廠來(lai)生(sheng)產(chan)，耗(hao)時至少三(san)天，單(dan)(dan)GW投資成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)之(zhi)和約10億(yi)(yi)元；而鈣鈦礦太陽能電(dian)池流(liu)程可在(zai)一個工(gong)廠完成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)，45分鐘即(ji)可走完生(sheng)產(chan)流(liu)程，成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)熟(shu)期后單(dan)(dan)GW投資成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)只需5億(yi)(yi)元（當前約為7億(yi)(yi)元+）。生(sheng)產(chan)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)方面(mian)，由于(yu)鈣鈦礦材(cai)料占(zhan)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)比例較小，協鑫(xin)光電(dian)100MW生(sheng)產(chan)線的組件(jian)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)小于(yu)1元/W，預計(ji)5-10GW級(ji)別的量(liang)產(chan)生(sheng)產(chan)線的組件(jian)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)約為0.5-0.6元/W，遠低(di)于(yu)晶(jing)硅極限(xian)生(sheng)產(chan)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)1元/W。