研究(jiu)人(ren)員研究(jiu)了TOPCon IBC太陽(yang)(yang)能電池如何(he)幫助(zhu)減(jian)少遮陽(yang)(yang)對太陽(yang)(yang)能組件的影響。

荷蘭(lan)代爾夫特理工(gong)大學的(de)(de)(de)研究(jiu)人(ren)員(yuan)研究(jiu)了如(ru)何微調基(ji)于隧穿氧化(hua)鈍化(hua)接觸(chu)（TOPCon）技術的(de)(de)(de)叉(cha)指式背接觸(chu)（IBC）太(tai)陽(yang)能(neng)電池的(de)(de)(de)反向特性(xing)，主要是通過(guo)增加遮(zhe)陽(yang)公差和限制(zhi)遮(zhe)陽(yang)太(tai)陽(yang)能(neng)電池的(de)(de)(de)工(gong)作溫度，來(lai)幫助提(ti)高光伏組件(jian)的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)。

研究人員表示，這(zhe)項研發工作有兩個目標：一方(fang)面(mian)，展示如(ru)何降(jiang)低TOPCon IBC太(tai)陽能電池的擊(ji)穿(chuan)電壓(ya)（BDV）；另(ling)一方(fang)面(mian)，展示如(ru)何使(shi)用低擊(ji)穿(chuan)電壓(ya)電池的組件更耐陰。“我們在(zai)局部遮光條件常見的所(suo)有應用中使(shi)用了這(zhe)種方(fang)法，例如(ru)在(zai)城(cheng)市綜(zong)合光伏(fu)中。”

該研究發表在(zai)《電(dian)池(chi)報(bao)告物理科(ke)學(xue)》上。他們模(mo)擬了基于多晶硅(gui)和氧化硅(gui)鈍(dun)化觸點(dian)的IBC太(tai)陽能電(dian)池(chi)的擊穿特性。

研究人員解釋說，通(tong)常，在基于TOPCon技術(shu)的(de)IBC太陽(yang)能(neng)電池中，發射極(ji)和(he)背表面場（BSF）區域(yu)是物(wu)理隔離的(de)，以(yi)(yi)防(fang)止(zhi)在熱處理步驟中由于摻雜(za)原子擴散到(dao)c-Si基而產生分流。然而，實驗證明，可以(yi)(yi)設計具有連續BSF和(he)發射極(ji)區的(de)高效TOPCon IBC電池。

研究(jiu)人(ren)員表示，可以(yi)在不(bu)顯著降(jiang)低太(tai)陽(yang)能電池(chi)效率(lv)的情況下調節擊(ji)穿電壓。通過設備級模擬證明，在不(bu)產生分流的情況下，通過簡單地縮短發射極和BSF之間的距(ju)離，就可以(yi)降(jiang)低TOPCon IBC太(tai)陽(yang)能電池(chi)中的擊(ji)穿電壓。

對部(bu)分遮蔽的光(guang)(guang)伏組件(jian)的模(mo)擬表明，如果擊穿電壓可(ke)(ke)以降低到(dao)(dao)0.3 V，那么對于(yu)一(yi)個(ge)帶有三個(ge)旁(pang)路二(er)極管的光(guang)(guang)伏模(mo)塊，大約20%的時間被遮蔽，其能(neng)量(liang)當量(liang)可(ke)(ke)以提(ti)高到(dao)(dao)20%。模(mo)擬結果得到(dao)(dao)了室外實驗的支持。

盡管有(you)(you)(you)這些令人鼓舞的結果，該研究小組表示(shi)，要(yao)使這種電池技(ji)術(shu)接近商(shang)業化生產，還有(you)(you)(you)很多(duo)工作要(yao)做，制造低成本(ben)、擊穿電壓低至0.3 V的太陽能(neng)電池的可行性還有(you)(you)(you)待(dai)證實(shi)。