一、HJT電池是什么？

HJT電池(chi)(chi)全(quan)稱為(wei)晶體(ti)(ti)硅(gui)異質結太陽電池(chi)(chi)，由晶硅(gui)材料和(he)非(fei)晶材料形成，在晶體(ti)(ti)硅(gui)上形成非(fei)晶體(ti)(ti)薄膜，并通過特(te)殊的技(ji)術讓P型和(he)N型半導體(ti)(ti)構成一種(zhong)(zhong)特(te)殊的PN結，本(ben)身屬于(yu)N型電池(chi)(chi)的一種(zhong)(zhong)。

二、HJT優點

1.高(gao)開路電(dian)壓，轉換效率高(gao)；2.功(gong)(gong)率衰減弱；3.溫度系數低，輸出功(gong)(gong)率穩定；4.結構對稱，支持薄片化和雙面(mian)發電(dian)；5.工藝(yi)流程簡單；6.可結合其他(ta)技(ji)術(shu)，比如異質結/鈣鈦礦疊層(ceng)電(dian)池。

三、HJT產(chan)業鏈

相(xiang)比于原來PERC電池9-10步工(gong)藝(yi)，HJT電池工(gong)藝(yi)縮(suo)減到四步，分(fen)別為：制(zhi)絨清(qing)洗、非晶(jing)硅(gui)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)、TCO導電膜沉(chen)(chen)積(ji)(ji)、絲網(wang)印刷(shua)。這四大工(gong)藝(yi)對應的主要設備(bei)(bei)分(fen)別為清(qing)洗設備(bei)(bei)、CVD（化學氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)法(fa)）設備(bei)(bei)、PVD（物理氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)法(fa)）設備(bei)(bei)、絲網(wang)印刷(shua)設備(bei)(bei)。

具體來(lai)說:

首先是(shi)制(zhi)絨(rong)清洗：該(gai)步(bu)驟的主(zhu)要目的是(shi)去(qu)除N型(xing)襯底(di)表面雜質和機械損傷層，形(xing)成金字塔(ta)絨(rong)面，陷光并(bing)減少表面反射。該(gai)步(bu)驟雖然采用了與PERC相似的濕法化(hua)學清洗設備(bei)，但對刻蝕損傷層厚度有著更高的要求，且需要在低溫(wen)環(huan)境進行。

非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)沉(chen)(chen)積(ji)：非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)沉(chen)(chen)積(ji)包括本征非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)和(he)摻雜非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)沉(chen)(chen)積(ji)。HIT電(dian)池高效率的(de)(de)(de)(de)根(gen)源在于本征非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)優(you)良的(de)(de)(de)(de)鈍化(hua)效果。鈍化(hua)可以降低表(biao)(biao)面缺陷對于少數(shu)載流子的(de)(de)(de)(de)復合作用(yong)(yong)，以達到提高晶(jing)體硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)太陽(yang)電(dian)池的(de)(de)(de)(de)效率的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)。實驗發(fa)現，含氫的(de)(de)(de)(de)SiNx膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)對于硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)表(biao)(biao)面具有(you)很強(qiang)的(de)(de)(de)(de)鈍化(hua)作用(yong)(yong)，用(yong)(yong)來制(zhi)備SiNx膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)方法(fa)(fa)包括：化(hua)學氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)法(fa)(fa)（CVD法(fa)(fa)）、等離子增強(qiang)化(hua)學氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)（PECVD法(fa)(fa)）、低壓化(hua)學氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)法(fa)(fa)（LPCVD法(fa)(fa)）。在目前產(chan)業上常用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)PECVD法(fa)(fa)。在PECVD設備中(zhong)除了制(zhi)作硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)片的(de)(de)(de)(de)鈍化(hua)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)還會制(zhi)作PN結。PECVD分為(wei)(wei)板(ban)式(shi)PECVD和(he)管式(shi)PECVD。板(ban)式(shi)PECVD的(de)(de)(de)(de)代表(biao)(biao)企業為(wei)(wei)$邁(mai)為(wei)(wei)股(gu)份，管式(shi)PECVD的(de)(de)(de)(de)代表(biao)(biao)企業為(wei)(wei)$捷佳偉創。相(xiang)比于PECVD鍍膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)均勻、生產(chan)節奏快等明顯優(you)點，縱(zong)向(xiang)層疊式(shi)工藝的(de)(de)(de)(de)CAT-CVD設備雖然的(de)(de)(de)(de)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)質量高、系統(tong)簡單，但是(shi)(shi)對自(zi)動化(hua)要求高，且(qie)設備復雜成本高，不容易做大規模。

TCO導(dao)電膜沉(chen)(chen)積：TCO 薄膜是在兩(liang)側(ce)鍍上透明氧化(hua)物導(dao)電薄膜，可(ke)增強電荷輸送能力，可(ke)以有效解決非晶硅薄膜層(ceng)整體呈現(xian)長程無(wu)序結構，層(ceng)內載(zai)流子遷移率(lv)較低，造成的(de)電池(chi)電流不能充分地被金屬電極收集問題。包括RPD（反應(ying)等離子體沉(chen)(chen)積）和PVD（物理化(hua)學(xue)氣象沉(chen)(chen)積）兩(liang)種方法。其中PVD下的(de)磁控濺射(she)為目前主流方法。