太(tai)陽(yang)能行(xing)業(ye)采(cai)用(yong)不同的太(tai)陽(yang)能電池技(ji)術(shu)(shu)鋪平(ping)了具有更(geng)高(gao)功率(lv)的太(tai)陽(yang)能電池板的道(dao)路，這(zhe)些技(ji)術(shu)(shu)試圖減少功率(lv)損(sun)耗，提高(gao)效(xiao)(xiao)率(lv)并降低光伏（PV）模塊的生產成(cheng)本。使用(yong)晶體硅（c-Si）電池證明效(xiao)(xiao)率(lv)更(geng)高(gao)的最具創新性的方法之(zhi)一是叉指(zhi)背接(jie)觸（IBC）太(tai)陽(yang)能電池技(ji)術(shu)(shu)。本期將解釋IBC太陽能電池的(de)材料和(he)結(jie)構，并(bing)解釋該技術的(de)工作原理(li)。

什么是IBC太陽能電池

大(da)多數IBC太(tai)陽(yang)能電池的(de)主(zhu)要成(cheng)分是(shi)作為n型晶圓吸收層的(de)c-Si晶片，但也(ye)使用(yong)p型晶片。單晶硅（單晶c-Si）由于(yu)其更高(gao)的(de)效率而成為最常見(jian)的(de)選(xuan)擇，但也可以使(shi)用(yong)多晶硅（聚c-Si）。

在c-Si晶(jing)片的兩(liang)側之一上放置抗(kang)反射和鈍(dun)化(hua)(hua)層，并用(yong)薄(bo)層二氧化(hua)(hua)硅(gui)（SiO2)通過熱氧化(hua)(hua)過程放置。氮化(hua)(hua)硅(gui)（SiNx）或氮化(hua)(hua)硼（BNx）等(deng)材(cai)料也(ye)是合適的。

為了使IBC太陽(yang)能電池將正面(mian)觸點(dian)重(zhong)新定位在電池的背面(mian)，它(ta)們需要(yao)穿插或指(zhi)叉的nand發(fa)射器層，稱(cheng)為擴散層。為了創建(jian)它，n型晶圓的層通過掩蔽擴散，掩蔽離子(zi)注入或激(ji)光摻雜摻雜硼，產生p型數(shu)字，而(er)n型層保(bao)持完(wan)整。

金屬觸點(dian)也通過激(ji)光燒蝕或濕化學(xue)沉積放置，使用銀、鎳或銅等常規金屬作為 IBC 太陽能電池的觸點(dian)。

這是制(zhi)造IBC太陽能電(dian)池的(de)最流行的(de)方法(fa)之一，但(dan)有不(bu)同(tong)的(de)方法(fa)可用，但(dan)需要不(bu)同(tong)的(de)材料來制(zhi)造擴散層。

IBC太陽能(neng)電池的結構

考慮到擴散層的(de)形成，制(zhi)造IBC太(tai)陽能(neng)(neng)電池可能(neng)(neng)相當復雜(za)，但(dan)了解其(qi)結(jie)構相對簡(jian)單。

IBC太陽能電池(chi)的(de)主要(yao)層是作(zuo)為吸收層的(de)n型或p型c-Si晶片。該層是通過用硼或磷(lin)摻雜(za)c-Si層來制造(zao)的(de)，以產生p型或n型摻雜晶片。然后，通(tong)常(chang)由SiO制成的(de)防反射和(he)鈍化(hua)涂層放置在太陽能電(dian)池的(de)一側(ce)(ce)或兩側(ce)(ce)。

IBC太陽能電(dian)池(chi)的主要結構(gou)設計修改是包含擴散層，其特(te)征是交叉的n型和(he)p型層，允(yun)許安裝(zhuang)背面金(jin)屬觸(chu)點。

最后，IBC太陽能電池的每個金屬(shu)觸點都(dou)放置在(zai)電(dian)池的背面(mian)，使電(dian)池的前(qian)部完全(quan)沒有陰影材料(liao)。這也(ye)允許(xu)在(zai)更寬的區域內安裝觸點，從(cong)而降(jiang)低電(dian)池的串聯電(dian)阻。

IBC太陽(yang)能(neng)電池的工作(zuo)原理(li)

IBC太陽能電(dian)池在光伏(fu)效應下產生太陽能，就像Al-BSF太陽能電(dian)池一樣。負載(zai)連接(jie)在IBC太陽能電(dian)池板(ban)的正極和(he)負極之間，光(guang)子被轉換為電(dian)能(neng)，產生太陽能(neng)為負載供電(dian)。

與傳統太(tai)陽能電(dian)池一樣，光子(zi)(zi)撞擊(ji)IBC太(tai)陽能電(dian)池吸收(shou)層，激發電(dian)子(zi)(zi)并(bing)產(chan)生電(dian)子(zi)(zi) - 空穴（e-h）。由于IBC太陽(yang)能電(dian)(dian)池板沒有遮蔽電(dian)(dian)池的(de)正面金屬(shu)觸點，因(yin)此這些太陽(yang)能電(dian)(dian)池具有更(geng)高的(de)光子撞擊轉換面積。

然后在IBC太陽能電(dian)池(chi)前面形成(cheng)的(de)e-h對然后由背面的(de)p型指指層收集。收集的(de)電(dian)子從(cong)pmetal接觸(chu)流向(xiang)負載，產生電(dian)力，然后通過nmetal接觸(chu)返回IBC太陽能電(dian)池(chi)，結束特定的(de)e-h。

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